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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Comparar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
69
Por volta de -214% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.9
1,441.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
22
Velocidade de leitura, GB/s
3,325.1
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,441.2
9.9
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
525
2682
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
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