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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Confronto
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
14
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
69
Intorno -86% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.7
1,441.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
69
37
Velocità di lettura, GB/s
3,325.1
14.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,441.2
9.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
525
2277
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
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