RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB против Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
69
Около -86% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.7
1,441.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
37
Скорость чтения, Гб/сек
3,325.1
14.0
Скорость записи, Гб/сек
1,441.2
9.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
525
2277
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link