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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Confronto
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
69
Intorno -188% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.1
1,441.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
69
24
Velocità di lettura, GB/s
3,325.1
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,441.2
12.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
525
2904
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
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Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
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