RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Confronto
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
69
Intorno -214% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.3
1,441.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
69
22
Velocità di lettura, GB/s
3,325.1
16.9
Velocità di scrittura, GB/s
1,441.2
12.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
525
2708
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link