RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Confronto
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
68
Intorno -113% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.9
1,702.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
68
32
Velocità di lettura, GB/s
3,886.6
16.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,702.6
11.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
654
2849
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link