RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
68
Wokół strony -113% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
1,702.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,886.6
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,702.6
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
654
2849
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link