RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Confronto
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
14.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
67
68
Intorno -1% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.4
1,702.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
68
67
Velocità di lettura, GB/s
3,886.6
14.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,702.6
7.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
654
1693
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link