RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB
Confronto
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.2
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
12800
10600
Intorno 1.21% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
39
44
Intorno -13% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.9
13
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
44
39
Velocità di lettura, GB/s
13.0
13.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
8.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
10600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2069
2339
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT102464BA1339.M16 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4A-H9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link