RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Confronto
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
45
Intorno -36% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.9
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.4
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
33
Velocità di lettura, GB/s
12.3
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
10.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1992
2847
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Smart Modular SH564128FH8N0QHSCG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U72BP8
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link