RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Confronto
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
18
45
Intorno -150% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.9
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.3
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
18
Velocità di lettura, GB/s
12.3
19.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
15.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1992
3421
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link