Confronto tra le RAM Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6BFR8C-H9 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6BFR8C-H9 4GB

Punteggio complessivo

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Velocità di scrittura più elevata, GB/s

8.0 7.8

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

12800 10600

Intorno 1.21% larghezza di banda superiore

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6BFR8C-H9 4GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

27 45

Intorno -67% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

12.4 12.3

Valore medio nei test

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6BFR8C-H9 4GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Temporizzazioni / Velocità di clock

9-9-9-24 / 1600 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

1992 2084

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns