RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Confronto
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.3
12.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.0
5.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
45
Intorno -73% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
26
Velocità di lettura, GB/s
12.3
12.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
5.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1992
1970
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link