RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Confronto
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
45
Intorno -25% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.4
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.8
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
36
Velocità di lettura, GB/s
12.3
15.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
10.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1992
2720
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link