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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Confronto
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Motivi da considerare
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
45
Intorno -73% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.2
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.4
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
26
Velocità di lettura, GB/s
12.3
13.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
14.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1992
3068
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
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