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Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB

Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB vs Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB

Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB

Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Differenze

Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB Motivi da considerare
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
Segnala un bug
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    7.6 left arrow 5.7
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    6.6 left arrow 3.0
    Valore medio nei test
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB Motivi da considerare
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
Segnala un bug
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    29 left arrow 36
    Intorno -24% latenza inferiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    36 left arrow 29
  • Velocità di lettura, GB/s
    7.6 left arrow 5.7
  • Velocità di scrittura, GB/s
    6.6 left arrow 3.0
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    8500 left arrow 8500
Other
  • Descrizione
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1066 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    867 left arrow 609

Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB Confronto tra le RAM

Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB

Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB Confronto tra le RAM

Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Ultimi confronti

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Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
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Memoria RAM
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Memoria RAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Memoria RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Memoria RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
InnoDisk Corporation 16GB
Memoria RAM
Kingston KHX16 4GB
Kingston KHX16 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Memoria RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Memoria RAM
AMD R538G1601U2S 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Memoria RAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Memoria RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Memoria RAM
AMD R538G1601U2S 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Memoria RAM
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Memoria RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Memoria RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
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