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Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
AMD R334G1339U2S 4GB
Confronto
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB vs AMD R334G1339U2S 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
Punteggio complessivo
AMD R334G1339U2S 4GB
Differenze
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Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
31
Intorno -7% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
9
6.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
4.8
3.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
10600
8500
Intorno 1.25 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
AMD R334G1339U2S 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
31
29
Velocità di lettura, GB/s
6.6
9.0
Velocità di scrittura, GB/s
3.6
4.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
10600
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
921
1726
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB Confronto tra le RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
AMD R334G1339U2S 4GB Confronto tra le RAM
AMD R5S34G1601U1S 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
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