Confronto tra le RAM Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A-PB 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A-PB 4GB

Punteggio complessivo

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A-PB 4GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

29 48

Intorno -66% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

12.2 8.9

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

8.8 5.9

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

12800 10600

Intorno 1.21 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A-PB 4GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock

7-7-7-20 / 1333 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

1420 2036

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns