Porównanie pamięci RAM Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A-PB 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A-PB 4GB

Wynik ogólny

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A-PB 4GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

29 48

Wokół strony -66% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

12.2 8.9

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

8.8 5.9

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

12800 10600

Wokół strony 1.21 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A-PB 4GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara

7-7-7-20 / 1333 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

1420 2036

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns