Comparação RAM Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A-PB 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A-PB 4GB

Pontuação geral

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A-PB 4GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

29 48

Por volta de -66% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

12.2 8.9

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

8.8 5.9

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

12800 10600

Por volta de 1.21 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A-PB 4GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tempos / Velocidade do relógio

7-7-7-20 / 1333 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

1420 2036

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns