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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Confronto
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs AMD R7S44G2606U1S 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
AMD R7S44G2606U1S 4GB
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Motivi da considerare
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
47
Intorno -135% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.9
9.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.3
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
20
Velocità di lettura, GB/s
9.3
18.9
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
14.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1413
2707
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
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SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
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