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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9 4GB
Confronto
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Corsair CMZ8GX3M2A1600C9 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
39
47
Intorno -21% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.4
9.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.8
5.9
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
47
39
Velocità di lettura, GB/s
9.3
14.4
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
8.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
10600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1413
2340
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9 4GB Confronto tra le RAM
Kingston KHX16 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
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