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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9 4GB
比较
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Corsair CMZ8GX3M2A1600C9 4GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
39
47
左右 -21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.4
9.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.8
5.9
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
47
39
读取速度,GB/s
9.3
14.4
写入速度,GB/s
5.9
8.8
内存带宽,mbps
10600
10600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
排名PassMark (越多越好)
1413
2340
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Corsair CMZ8GX3M2A1600C9 4GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
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