RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Confronto
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
40
Intorno -60% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.7
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.2
8.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
25
Velocità di lettura, GB/s
12.3
18.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.9
17.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1789
4039
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link