RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
40
Wokół strony -60% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
25
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
4039
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link