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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
40
左右 -60% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.7
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.2
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
25
读取速度,GB/s
12.3
18.7
写入速度,GB/s
8.9
17.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
4039
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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