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Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
Confronto
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB vs Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
31
Intorno 6% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
9.4
6.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.2
3.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
29
31
Velocità di lettura, GB/s
9.4
6.6
Velocità di scrittura, GB/s
6.2
3.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
8500
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
7-7-7-20 / 1066 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1207
921
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8WL9 2GB
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB Confronto tra le RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
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