Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB

Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB против Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB

Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    29 left arrow 31
    Около 6% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    9.4 left arrow 6.6
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    6.2 left arrow 3.6
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    29 left arrow 31
  • Скорость чтения, Гб/сек
    9.4 left arrow 6.6
  • Скорость записи, Гб/сек
    6.2 left arrow 3.6
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    8500 left arrow 8500
Other
  • Описание
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1066 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1207 left arrow 921
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения