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Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
比较
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB vs Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
总分
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
31
左右 6% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
9.4
6.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
6.2
3.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
29
31
读取速度,GB/s
9.4
6.6
写入速度,GB/s
6.2
3.6
内存带宽,mbps
8500
8500
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
7-7-7-20 / 1066 MHz
排名PassMark (越多越好)
1207
921
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8WL9 2GB
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB RAM的比较
AMD R534G1601U1S 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
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