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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
10.6
9.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.8
6.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
30
Intorno -3% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
30
29
Velocità di lettura, GB/s
10.6
9.4
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
6.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
8500
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
7-7-7-20 / 1066 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
1207
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8WL9 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
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