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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Comparez
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Note globale
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
10.6
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.8
6.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
30
Autour de -3% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
30
29
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
9.4
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
6.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
8500
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
7-7-7-20 / 1066 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1479
1207
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8WL9 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
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Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
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