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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
10.6
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.8
6.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
30
En -3% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
30
29
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
9.4
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
6.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
8500
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
7-7-7-20 / 1066 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
1207
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8WL9 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KDK8NX-MIE 16GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
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