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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
总分
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
10.6
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
6.8
6.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
30
左右 -3% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
30
29
读取速度,GB/s
10.6
9.4
写入速度,GB/s
6.8
6.2
内存带宽,mbps
8500
8500
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
7-7-7-20 / 1066 MHz
排名PassMark (越多越好)
1479
1207
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM的比较
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8WL9 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
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Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
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