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Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Confronto
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Punteggio complessivo
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
69
Intorno 61% latenza inferiore
Motivi da considerare
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.2
12.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.3
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
69
Velocità di lettura, GB/s
12.2
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
8.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1763
1980
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
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