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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Confronto
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Punteggio complessivo
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
32
Intorno 31% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.7
16.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.4
12.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
21300
Intorno 1.2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
22
32
Velocità di lettura, GB/s
17.7
16.6
Velocità di scrittura, GB/s
12.7
13.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
25600
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3075
2955
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Confronto tra le RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
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