RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Confronto
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Punteggio complessivo
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
32
Intorno 31% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.7
16.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.4
12.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
21300
Intorno 1.2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
22
32
Velocità di lettura, GB/s
17.7
16.6
Velocità di scrittura, GB/s
12.7
13.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
25600
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3075
2955
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Confronto tra le RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
AMD R334G1339U2S 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Segnala un bug
×
Bug description
Source link