RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Сравнить
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB против Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
-->
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
32
Около 31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
16.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.4
12.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
22
32
Скорость чтения, Гб/сек
17.7
16.6
Скорость записи, Гб/сек
12.7
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
25600
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3075
2955
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Сравнения RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ40UG8EFU5-GNL-F 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link