Confronto tra le RAM SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Punteggio complessivo

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Motivi da considerare
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

71 117

Intorno -65% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

6.4 2,303.7

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

21300 5300

Intorno 4.02 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock

no data 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

784 1650

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns