Porównanie pamięci RAM SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Wynik ogólny

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Powody do rozważenia
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

71 117

Wokół strony -65% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s

6.4 2,303.7

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

21300 5300

Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara

no data 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

784 1650

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns