Comparación de la memoria RAM SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Puntuación global

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Razones a tener en cuenta
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

71 117

En -65% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s

6.4 2,303.7

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

21300 5300

En 4.02 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Principales características

Other

Descripción

PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj

no data 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

784 1650

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns