RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F2-6400CL5-1GBNT 1GB
Confronto
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F2-6400CL5-1GBNT 1GB
Punteggio complessivo
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F2-6400CL5-1GBNT 1GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
63
69
Intorno 9% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F2-6400CL5-1GBNT 1GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
1,471.1
1,447.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
6400
5300
Intorno 1.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F2-6400CL5-1GBNT 1GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR2
Latenza in PassMark, ns
63
69
Velocità di lettura, GB/s
3,231.0
2,909.1
Velocità di scrittura, GB/s
1,447.3
1,471.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
6400
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
478
447
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F2-6400CL5-1GBNT 1GB Confronto tra le RAM
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F2-6400CL5-1GBNT 1GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
INTENSO 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kllisre D4 8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link