STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F2-6400CL5-1GBNT 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F2-6400CL5-1GBNT 1GB

総合得点
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

総合得点
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G Skill Intl F2-6400CL5-1GBNT 1GB

G Skill Intl F2-6400CL5-1GBNT 1GB

相違点

  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    63 left arrow 69
    周辺 9% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    1,471.1 left arrow 1,447.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 5300
    周辺 1.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F2-6400CL5-1GBNT 1GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR2
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    63 left arrow 69
  • 読み出し速度、GB/s
    3,231.0 left arrow 2,909.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,447.3 left arrow 1,471.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 6400
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
    478 left arrow 447
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