STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F2-6400CL5-1GBNT 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против G Skill Intl F2-6400CL5-1GBNT 1GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Средняя оценка
star star star star star
G Skill Intl F2-6400CL5-1GBNT 1GB

G Skill Intl F2-6400CL5-1GBNT 1GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    63 left arrow 69
    Около 9% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    3 left arrow 2
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    1,471.1 left arrow 1,447.3
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    6400 left arrow 5300
    Около 1.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F2-6400CL5-1GBNT 1GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR2
  • Задержка в PassMark, нс
    63 left arrow 69
  • Скорость чтения, Гб/сек
    3,231.0 left arrow 2,909.1
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,447.3 left arrow 1,471.1
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    5300 left arrow 6400
Other
  • Описание
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    478 left arrow 447
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения