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TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Confronto
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB vs Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
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Motivi da considerare
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
34
Intorno -55% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.1
13.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.4
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
34
22
Velocità di lettura, GB/s
13.1
18.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
14.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2393
3010
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
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