RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Сравнить
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB против Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
Средняя оценка
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
34
Около -55% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
13.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.4
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
22
Скорость чтения, Гб/сек
13.1
18.1
Скорость записи, Гб/сек
8.1
14.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2393
3010
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link