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TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
比较
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB vs Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
总分
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
总分
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
34
左右 -55% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
13.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.4
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
22
读取速度,GB/s
13.1
18.1
写入速度,GB/s
8.1
14.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2393
3010
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB RAM的比较
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
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Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
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Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
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