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TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Comparar
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB vs Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Pontuação geral
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
Pontuação geral
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
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Razões a considerar
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
34
Por volta de -55% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.1
13.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.4
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
34
22
Velocidade de leitura, GB/s
13.1
18.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
14.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2393
3010
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
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