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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Confronto
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Punteggio complessivo
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
35
Intorno 29% latenza inferiore
Motivi da considerare
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.5
12.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.1
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
35
Velocità di lettura, GB/s
12.5
14.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
11.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2180
2580
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
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