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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
比较
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
总分
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
总分
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
35
左右 29% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.5
12.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.1
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
35
读取速度,GB/s
12.5
14.5
写入速度,GB/s
8.4
11.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2180
2580
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB RAM的比较
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
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Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
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