A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

総合得点

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

総合得点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

相違点仕様コメント

相違点

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

考慮すべき理由
A-DATA Technology DQVE1908 512MB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

2 13.8

テスト平均値

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

28 66

周辺 -136% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s

10.1 1,557.9

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

17000 6400

周辺 2.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR2 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

66 28
読み出し速度、GB/s

2,775.5 13.8
書き込み速度、GB/秒

1,557.9 10.1
メモリ帯域幅、mbps

6400 17000

Other

商品説明

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

382 2179

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

最新の比較

SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB

Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB

Kingston KTC1G-UDIMM 1GB

Kingston KTC1G-UDIMM 1GB

Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB

Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB

SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB

SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB

Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB

Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A

Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB

Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB

Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB

Kingston HX424C15FB/8 8GB

Kingston HX424C15FB/8 8GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB

Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB

Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB

Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB

Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB

Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB

Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB