RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Сравнить
A-DATA Technology DQVE1908 512MB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
13.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
66
Около -136% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.1
1,557.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
28
Скорость чтения, Гб/сек
2,775.5
13.8
Скорость записи, Гб/сек
1,557.9
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
382
2179
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Сравнения RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link